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== 特点 == *半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。 *在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。 *在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。 *晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。 *共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。 *自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 *空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 *电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。 *空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。 *本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。 *载流子:运载电荷的粒子称为载流子。 *导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。 *本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。 *本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 *复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合。 *动态平衡:在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,达到动态平衡。 *载流子的浓度与温度的关系:温度一定,本征半导体中载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时,热运动加剧,挣脱共价键束缚的自由电子增多,空穴也随之增多(即载流子的浓度升高),导电性能增强;当温度降低,则载流子的浓度降低,导电性能变差。 *结论:本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性,可制作热敏和光敏器件,又造成半导体器件温度稳定性差的原因。 *杂质半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,可得到杂质半导体。 *P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。 *多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子。 *少数载流子:P型半导体中,自由电子为少数载流子,简称少子。 *受主原子:杂质原子中的空位吸收电子,称受主原子。 *P型半导体的导电特性:它是靠空穴导电,掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。 *N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,形成N型半导体。 *多子:N型半导体中,多子为自由电子。 *少子:N型半导体中,少子为空穴。 *施子原子:杂质原子可以提供电子,称施子原子。 *N型半导体的导电特性:掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能也就越强。 *结论:多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。
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